プレスリリース
世界初！完全原子的平坦ダイヤモンド表面を MOS界面に用いたダイヤモンドMOSFETの作製に成功！（省エネデバイス開発グループ）
金沢大学ナノマテリアル研究所の德田規夫教授、自然科学研究科電子情報科学専攻博士後期課程／卓越大学院の小林和樹らの研究グループは、産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターの牧野俊晴研究チーム長、ドイツ Diamond and Carbon Applications のクリストフ E. ネーベル CEO（本学招へい教授）との共同研究により、世界で初めて完全に平坦なダイヤモンド表面をMOS界面に有するダイヤモンドMOSFETを作製することに成功しました。
研究成果は、2025年1月28日に Elsevierの国際学術誌『Carbon』のオンライン版に先行掲載されました。
詳細は以下URLをご覧ください。（金沢大学プレスリリース）
https://www.kanazawa-u.ac.jp/wp/wp-content/uploads/2025/02/20250217_tokuda.pdf