プレスリリース
完全平坦表面を持つダイヤモンド半導体層の埋込成長技術を開発（省エネデバイス開発グループ）
金沢大学ナノマテリアル研究所の德田規夫教授，金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻博士後期課程 1年小林和樹氏らの研究グループは，産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターの牧野俊晴研究チーム長，ドイツDiamond and Carbon Applications のクリストフ E. ネーベルCEO（本学招へい教授）との共同研究により，完全平坦表面を持つダイヤモンド半導体層の埋込成長技術を開発しました。
本研究成果は，2022 年 4 月 8 日に Elsevierの国際学術誌『Applied Surface Science』にオンライン掲載されました。
詳細は以下URLをご覧ください
https://www.kanazawa-u.ac.jp/press?msclkid=37b43905ba0411ecb5de472683b01b06
（金沢大学プレスリリース）
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433222008959
（ELSEVIER）