プレスリリース
世界初、ダイヤモンド-on-シリコン技術を用いてヘテロエピタキシャルダイヤモンド反転層チャネルMOSFETを開発！（省エネデバイス開発グループの徳田規夫教授ら）
省エネデバイス開発グループの德田規夫教授、山崎聡特任教授、松本翼准教授，張旭芳特任助教，クリストフ E. ネーベル特任教授（本学リサーチプロフェッサー兼ドイツフランホーファー部門長）らの研究グループは，国立研究開発法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター新機能デバイスチームの牧野俊晴チーム長，加藤宙光主任研究員らとの共同研究により，単結晶シリコン上にヘテロエピタキシャル成長によるダイヤモンド膜から作製したダイヤモンド自立基板を用いて反転層チャネルMOSFETを作製し，その動作実証に世界で初めて成功しました。
詳細は本学Web 研究トピックスをご覧ください。